一种新型双沟槽的肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN202021477848.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212542446U | 公开（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申请公布号 | CN212542446U | 申请公布日 | 2021-02-12 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛涛;关仕汉;迟晓丽 | 申请（专利权）人 | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 代理机构 | 淄博川诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高鹏飞 |
| 地址 | 255086山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型双沟槽的肖特基二极管，包括N+型衬底和N‑型外延层，所述N+型衬底上表面设置有N‑型外延层，所述N型外延层上表面的芯片外圈对称开设有1个或多个降压环，所述N‑型外延层上表面的中心处均匀开设有第一沟槽，所述N‑型外延层上表面位于所述两个第一沟槽之间开设有第二沟槽，所述降压环和第一沟槽内壁设有氧化硅绝缘层，所述降压环和第一沟槽内部均填充有多晶硅；本实用新型通过在N‑型外延层表面设置第一沟槽和第二沟槽，采用双沟槽设计，通过第一沟槽可以在芯片反向通电流时有效阻断电流，通过第二沟槽可有效增大肖特基界面的面积，大大的增加了导电面积减小正向压降，提高产品导通时的效率。 |
