精简光刻Split-GateMOSFET芯片
基本信息
| 申请号 | CN202021818076.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212542445U | 公开（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申请公布号 | CN212542445U | 申请公布日 | 2021-02-12 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 关仕汉;薛涛;迟晓丽 | 申请（专利权）人 | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 代理机构 | 淄博川诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高鹏飞 |
| 地址 | 255086山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型涉及一种精简光刻Split‑Gate MOSFET芯片，包括N+衬底和N‑外延，N‑外延内设有有源区沟槽及终止区沟槽，其特征是，所述的终止区沟槽宽度为有源区沟槽宽度的5‑30倍。本实用新型采用新的结构设计使原来的7道光刻制程简化为5道光刻，大大降低了制作成本。本实用新型结构亦可适用于其它沟槽式元件相类似的架构。 |
