一种高导电效率的GaN基HEMT芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110631801.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257894A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257894A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 迟晓丽;关仕汉;薛涛 | 申请（专利权）人 | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 代理机构 | 淄博川诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高鹏飞 |
| 地址 | 255000 山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高导电效率的GaN基HEMT芯片及其制备方法，包括硅基衬底，外延层，所述外延层包括GaN外延层和AlGaN外延层，所述GaN外延层表面均匀开设有沟槽，所述AlGaN外延层固定连接于GaN外延层表面开设的沟槽中，其中，所述GaN外延层固定连接于硅基衬底顶端表面；本发明通过采用GaN外延层刻蚀沟槽的方法实现了凹凸不平的AlGaN/GaN外延层设计，增加了AlGaN外延层和GaN外延层接触面积，增加了外延层中的二维电子气密度，提高了芯片导通的电流密度，提高了GaN基HEMT芯片的导电效率；同时该设计也增加了AlGaN外延层和GaN外延层接触面积，增加了外延层中的二维电子气面积，在兼顾了芯片的耐压能力下，该设计可节省部分芯片面积，可降低GaN基HEMT芯片的成本。 |
