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一种ONO制程的Splt-GateMOSFET芯片

基本信息

申请号	CN202120330680.9	申请日	-
公开（公告）号	CN214753773U	公开（公告）日	2021-11-16
申请公布号	CN214753773U	申请公布日	2021-11-16
分类号	H01L29/423（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	关仕汉;薛涛	申请（专利权）人	淄博汉林半导体有限公司
代理机构	淄博川诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	高鹏飞
地址	255086山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室
法律状态	-

摘要

本实用新型涉及一种ONO制程的Splt‑Gate MOSFET芯片,包括N+衬底和N‑外延，N‑外延内设有有源区沟槽及终止区沟槽；有源区沟槽内壁设有第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层以及第一多晶硅，第一多晶硅上有第三氧化层，第三氧化层上填充第二多晶硅，第二多晶硅外层沟槽壁上设有栅氧层；终止区沟槽内壁设有第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层以及第一多晶硅，第一多晶硅上有第三氧化层；本实用新型采用新的制程及结构设计使原来的七道光刻制程简化为五道光刻，大大降低了制作成本，使用ONO制程使用常规设备即可完成避免使用氧化物沉积（HDP）设备降低成本，且将有源区沟槽底部以及终止区沟槽使用氧化硅、氮化硅以及氧化硅三层绝缘，大大提高产品的耐压能力及可靠性。