一种新型立体导电的肖特基二极管
基本信息
| 申请号 | CN202021494485.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212542447U | 公开（公告）日 | 2021-02-12 |
| 申请公布号 | CN212542447U | 申请公布日 | 2021-02-12 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 薛涛;关仕汉;迟晓丽 | 申请（专利权）人 | 淄博汉林半导体有限公司 |
| 代理机构 | 淄博川诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 高鹏飞 |
| 地址 | 255086山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种新型立体导电的肖特基二极管，包括N+衬底，所述N+衬底的上表面开设有N‑外延，所述N‑外延上表面的四周均开设有氧化硅保护层，所述N‑外延的中部有源区位置开设有多个有源区沟槽，所述氧化硅层的下面位于有源区沟槽的四周开设有1个或多个位于N‑外延的终止区沟槽，所述有源区沟槽的内壁及有源区N‑外延有源区表面设有肖特基界面；本实用新型通过采用立体的肖特基界面，使有效的肖特基导电面积比有源区沟槽式肖特基增大1‑5倍，大大的增加了导电面积减小正向压降，提高产品导通时的效率，在进行使用时具备更高的实用性，结构简单，具备一定的有益效果。 |
