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一种高导电效率的GaN基HEMT芯片

基本信息

申请号	CN202121263040.7	申请日	-
公开（公告）号	CN214753771U	公开（公告）日	2021-11-16
申请公布号	CN214753771U	申请公布日	2021-11-16
分类号	H01L29/06（2006.01）I;H01L29/10（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	迟晓丽;关仕汉;薛涛	申请（专利权）人	淄博汉林半导体有限公司
代理机构	淄博川诚知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	高鹏飞
地址	255000山东省淄博市高新区政通路135号高科技创业园C416室
法律状态	-

摘要

本实用新型公开了一种高导电效率的GaN基HEMT芯片，包括硅基衬底，外延层，所述外延层包括GaN外延层和AlGaN外延层，所述GaN外延层表面均匀开设有沟槽，所述AlGaN外延层固定连接于GaN外延层表面开设的沟槽中，其中，所述GaN外延层固定连接于硅基衬底顶端表面；本实用新型通过采用GaN外延层刻蚀沟槽的方法实现了凹凸不平的AlGaN/GaN外延层设计，增加了AlGaN外延层和GaN外延层接触面积，增加了外延层中的二维电子气密度，提高了芯片导通的电流密度，提高了GaN基HEMT芯片的导电效率；同时该设计也增加了AlGaN外延层和GaN外延层接触面积，增加了外延层中的二维电子气面积，在兼顾了芯片的耐压能力下，该设计可节省部分芯片面积，可降低GaN基HEMT芯片的成本。