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单晶炉及单晶硅制备方法

基本信息

申请号 CN202111490036.9 申请日 -
公开（公告）号 CN114197033A 公开（公告）日 2022-03-18
申请公布号 CN114197033A 申请公布日 2022-03-18
分类号 C30B15/00（2006.01）I;C30B15/10（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 欧子杨;杨宇昂;向鹏 申请（专利权）人 晶科能源股份有限公司
代理机构 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 代理人 钱娴静
地址 334100江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及一种单晶炉及单晶硅制备方法，单晶炉包括坩埚结构、隔热垫和驱动装置；坩埚结构包括侧面、过渡面及底面，底面的弧度小于30°，过渡面为连接底面及侧面的弧面，隔热垫位于过渡面及底面的外侧，且当隔热垫与坩埚结构接触时，隔热垫内侧与过渡面及底面的外侧的接触面积大于隔热垫内侧面积的一半；驱动装置包括第一支撑轴和第二支撑轴，第一支撑轴连接坩埚结构，第二支撑轴连接隔热垫；驱动装置可带动隔热垫相对坩埚结构沿提拉方向下降以形成间隙，减弱坩埚结构过渡面及底面受到的热辐射强度，以降低硅熔体的纵向温度梯度，达到降低单晶硅中氧含量的效果，从而提高了单晶硅的品质，进而提升了太阳能电池的效率。