硅晶体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011051284.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112195515B | 公开（公告）日 | 2022-03-01 |
| 申请公布号 | CN112195515B | 申请公布日 | 2022-03-01 |
| 分类号 | C30B29/06（2006.01）I;C30B11/04（2006.01）I;C30B15/04（2006.01）I;C30B28/06（2006.01）I;C30B28/10（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 欧子杨;白枭龙;尚伟泽;金浩 | 申请（专利权）人 | 晶科能源股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海晨皓知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 成丽杰 |
| 地址 | 334100 江西省上饶市经济开发区晶科大道1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供一种硅晶体的制备方法，包括：提供硅溶液，硅溶液中掺杂有第一掺杂离子以及第二掺杂离子，第一掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的一者，第二掺杂离子为N型掺杂离子或者P型掺杂离子中的另一者，且第一掺杂离子在硅溶液中的分凝系数大于第二掺杂离子在硅溶液中的分凝系数；对硅溶液进行凝固处理，以凝固部分硅溶液形成具有第一掺杂离子的第一类型硅晶体区，在形成第一类型硅晶体区之后，凝固剩余硅溶液形成具有第二掺杂离子的第二类型硅晶体区。本发明实施例有利于提高硅晶体的成品产出率，降低硅晶体的制备成本。 |
