一种可批量生产氮化镓的HVPE设备
基本信息
| 申请号 | CN201810909870.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108914202A | 公开（公告）日 | 2018-11-30 |
| 申请公布号 | CN108914202A | 申请公布日 | 2018-11-30 |
| 分类号 | C30B25/08;C30B25/12;C30B25/14;C30B29/40;C23C16/30;C23C16/455;C23C16/458 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 金英鎬;金相模;金奉辰;宋国峰 | 申请（专利权）人 | 北京索提斯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京力量专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 宋林清 |
| 地址 | 102600 北京市大兴区兴华大街(二段)13号院3号楼6层606 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种可批量生产氮化镓的HVPE设备，包括：气源室和生长室；气源室中设置有两条气体流入通道，两条气体流入通道的一端与气源室的上部连通，适于气体从气源室进入到生长室中并在生长室中混合；生长室的中部设置有主衬托盘以及布置在主衬托盘上的多个副衬托盘，副衬托盘用于放置衬底；其中，气体流入通道横向设置，主衬托盘的盘面水平放置，用于气体横向进入并与衬底竖向接触生长氮化镓。本发明通过分别设置横向气源室和竖向生长室，将资源气体的进气和氮化镓晶体的生长分开来，同时解决副衬托盘的数量以及资源气体不足的问题，进而实现了氮化镓晶体的大批量生产。 |
