一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管的制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202111474738.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114171605A | 公开（公告）日 | 2022-03-11 |
| 申请公布号 | CN114171605A | 申请公布日 | 2022-03-11 |
| 分类号 | H01L29/861（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 毛建军;任亮;胡煜涛;贺鸿浩;金家斌;王俊;虞旭俊;苏云清;蒋杰 | 申请（专利权）人 | 杭州赛晶电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 傅朝栋;张法高 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市萧山区靖江街道和顺村黎明社区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种P型杂质扩散结屏蔽栅硅二极管及其制造方法。该方法首先在N‑型（110）晶面硅单晶片的正面掩膜胶上划切网格形式的腐蚀槽窗口，用硅各向异性择优腐蚀液对硅片正面的窗口进行化学腐蚀，获得直角凹槽；然后在硅扩散片的正、反面分别扩散入P+型和N+型半导体杂质，得到P+N‑N+型硅扩散片；最后对P+N‑N+型硅扩散片进行喷砂、镀镍、锯切、焊接、台面钝化、压模成型，封装成硅二极管。本发明利用静电屏蔽效应显著改善器件反向击穿电压特性，产品性价比高，产生显著经济效益。 |
