切槽蚀刻锥形正台面硅芯及硅二极管的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201711395393.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108122755B | 公开（公告）日 | 2018-06-05 |
| 申请公布号 | CN108122755B | 申请公布日 | 2018-06-05 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 | 申请（专利权）人 | 杭州赛晶电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 傅朝栋;张法高 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市萧山区靖江街道和顺村黎明社区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种切槽蚀刻锥形正台面硅芯及硅二极管的制备方法，涉及半导体器件的制造。本发明在硅片N+磷表面切割形成井字型交错的沟槽，采用硅各向异性择优腐蚀液KOH对P+N‑N+型硅扩散片上所述的沟槽进行化学腐蚀，待化学腐蚀反应自动停止于锥形尖底后，在所述的沟槽处形成纵剖面呈等腰梯形且内底角角度等于54.7°的锥形腐蚀槽，从而得到底部相连的硅芯阵列。本发明的优点是工艺简化，高效率低成本，产品性价比较高，产生显著经济效益。 |
