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一种去本征区P+N+型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法

基本信息

申请号 CN201710108976.4 申请日 -
公开（公告）号 CN106653865B 公开（公告）日 2018-11-09
申请公布号 CN106653865B 申请公布日 2018-11-09
分类号 H01L29/861;H01L21/329 分类 基本电气元件;
发明人 陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 申请（专利权）人 杭州赛晶电子有限公司
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 代理人 张法高;傅朝栋
地址 310000浙江省杭州市萧山区靖江街道和顺村黎明社区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种去本征区P+N+型低压硅扩散片、硅二极管及其制备方法。包括如下步骤：1)在N型硅单晶片的正、反两表面同步分别扩散入P+型半导体杂质硼和N+型半导体杂质磷，并使P+型杂质扩散区和N+型杂质扩散区穿越N型硅本征区后对接会合，得到去硅本征区P+N+型硅扩散片；2)P+N+型硅扩散片经镀镍、芯片锯切、底座焊接、台面钝化，压模成型，制成P+N+型低压硅二极管。本发明有助于解决生产超低压硅二极管之专用硅单晶制备难以及成本高的问题，选用硅单晶材料灵活，简化工艺流程，有效缩短生产周期，提高产品性价比，产品应用范围广，具有显著经济效益。