一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯和制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201710108967.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106653864A | 公开（公告）日 | 2017-05-10 |
| 申请公布号 | CN106653864A | 申请公布日 | 2017-05-10 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 | 申请（专利权）人 | 杭州赛晶电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 张法高;傅朝栋 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市萧山区靖江街道和顺村黎明社区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种N+PN‑PN+型正反向过压保护硅二极管及其硅芯和制造方法，硅芯由下到上分别为N+型杂质扩散层、P型杂质扩散层、N‑型原始硅单晶层、P型杂质扩散层和N+型杂质扩散层。硅芯侧面为四重开放PN结台面，该台面由各向同性化学腐蚀获得。同时公开了一种采用P型和N型两种半导体杂质在硅片上同步预沉积扩散制造N+PN‑PN+型四重PN结硅二极管硅芯的工艺技术装置。本发明所制造的正反向过压保护硅二极管方法的优点是：工艺简化，生产周期短，易于规模化生产，产品性价比高。 |
