一种锥形槽面硅二极管及其芯片
基本信息
| 申请号 | CN201721806336.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207572371U | 公开（公告）日 | 2018-07-03 |
| 申请公布号 | CN207572371U | 申请公布日 | 2018-07-03 |
| 分类号 | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈福元;胡煜涛;毛建军;任亮;苏云清;虞旭俊 | 申请（专利权）人 | 杭州赛晶电子有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 傅朝栋;张法高 |
| 地址 | 310000浙江省杭州市萧山区靖江街道和顺村黎明社区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种锥形槽面硅二极管及其芯片，属于半导体器件制造领域。该二极管的芯片由上到下分别为金属层、P+型杂质扩散层、N‑型原始硅单晶层、N+型杂质扩散层、金属层；硅芯侧面为垂直PN结台面。芯片表面呈网格状分布有若干锥形槽；每个锥形槽处，P+型杂质扩散层向下凹陷形成倒正四棱锥面，且芯片不同位置处的P+型杂质扩散层厚度相同。本实用新型的硅二极管的优点是：硅芯电流容量大，工艺简化，易于规模化生产，产品性价比高。 |
