一种P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法
基本信息
| 申请号 | CN02108834.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1279585C | 公开（公告）日 | 2006-10-11 |
| 申请公布号 | CN1279585C | 申请公布日 | 2006-10-11 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王向武 | 申请（专利权）人 | 厦门市三安光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所 | 代理人 | 厦门三安电子有限公司;厦门市三安光电科技有限公司 |
| 地址 | 361009福建省厦门市何厝岭兜开元科技园三楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种P型III族氮化物材料的制作方法，用于制作光电器件的P型导电层，通过改变组分使四元氮化物的禁带宽度低于氮化镓的宽度，从而提高P型杂质的电离率，使得P型III族氮化物材料在同样的掺杂水平下获得高的空穴浓度，并且降低电阻率，这样就可以通过提高载流子浓度，从而提高注入效率(比)，使得器件内量子效率提高、发光强度提高。 |
