一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法
基本信息
| 申请号 | CN200410036172.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1767153A | 公开（公告）日 | 2006-05-03 |
| 申请公布号 | CN1767153A | 申请公布日 | 2006-05-03 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/44(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐之韬;邱树添 | 申请（专利权）人 | 厦门市三安光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所 | 代理人 | 厦门三安电子有限公司;厦门市三安光电科技有限公司 |
| 地址 | 361009福建省厦门市吕岭路1721号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法。当半导体芯片电极采用化学方法代以腐蚀的金属膜时，图形电极只好采用剥离方法获得。本发明提供了一种采用双层正性光刻胶作为剥离介质的新方法：本方法的特点是得到“倒台”光刻胶剖面，使电子束蒸发后的金属膜的剥离变得十分容易；采用该方法所得到图形电极完好，边缘清晰，附着力牢；方法简单易行，工艺可靠；适合于半导体芯片制作中多层金属膜图形电极的制作。 |
