用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构
基本信息
| 申请号 | CN200410036171.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1767217A | 公开（公告）日 | 2006-05-03 |
| 申请公布号 | CN1767217A | 申请公布日 | 2006-05-03 |
| 分类号 | H01L31/075(2006.01);H01L31/0264(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐之韬 | 申请（专利权）人 | 厦门市三安光电股份有限公司 |
| 代理机构 | 厦门原创专利事务所 | 代理人 | 厦门三安电子有限公司;厦门市三安光电股份有限公司 |
| 地址 | 361009福建省厦门市吕岭路1721号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种制造长波长光通信用铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片的III－V族化合物半导体材料；在进行铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作中，外延片结构决定了芯片的基本光电特性，制作这种芯片的外延片顶层常用磷化铟材料；本发明提供了一种新的外延片结构：其顶层不是磷化铟二元层，而是GaxIn1－xAsyP1－y四元层，采用该结构制作的平面PIN光电探测器不仅具有高的稳定可靠性，高响应度，低暗电流，而且还具有高工作速率，宽动态范围和低工作电压。 |
