一种无铱区熔法氧化镓晶体的生长装置及生长方法
基本信息
| 申请号 | CN202210607364.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114686965A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114686965A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | C30B13/16（2006.01）I;C30B13/28（2006.01）I;C30B29/16（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 张辉;王嘉斌;夏宁;马可可;李成;吴丹;杨德仁 | 申请（专利权）人 | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 代理机构 | 杭州裕阳联合专利代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 311200浙江省杭州市萧山区建设三路733号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种无铱区熔法氧化镓晶体的生长装置及生长方法。本发明中提及的无铱区熔法属于熔体法生长单晶的方法，不使用贵金属作为发热源，通过外部的发热体发热，热量通过高透过率、高导热性能材料做成的气氛隔离装置，将固体氧化镓多晶料棒或者陶瓷棒加热融化，然后将籽晶与熔体接触，通过对温度、升降、转速等工艺条件进行控制，使熔融区逐步的上移，进而使远离热场的熔体区按照籽晶晶向进行定向结晶，最终获得大尺寸、高质量、确定晶向的氧化镓单晶。 |
