一种可控生长六角星形单层MoS2的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210165317.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114212824B | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN114212824B | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | C01G39/06（2006.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 王佩剑;蓝善贵;刘影;张致翔;俞滨 | 申请（专利权）人 | 浙江大学杭州国际科创中心 |
| 代理机构 | 杭州五洲普华专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 310000浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于二维层状材料制备的技术领域，提供了一种可控生长六角星形单层MoS2的方法。通过将粒径尺寸为40‑50 nm的MoO3粉末的乙醇分散液滴在放置于石墨槽底部的碳布表面，SiO2/Si衬底倒扣于石墨槽顶部，利用常压化学气相沉积技术，可大规模地合成六角星形单层MoS2。由于MoO3粉末粒径尺寸较小（40‑50 nm），可提供充足的形核位点，使用本发明提供的方法可以大规模地可控合成六角星形单层MoS2，在制作大规模基于二维层状材料的忆阻器件领域有应用前景。 |
