一种超薄四面体非晶碳膜的制备工艺

基本信息

申请号 CN202210352227.7 申请日 -
公开(公告)号 CN114686807A 公开(公告)日 2022-07-01
申请公布号 CN114686807A 申请公布日 2022-07-01
分类号 C23C14/02(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/32(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 杨挺;吴春春;张云飞 申请(专利权)人 浙江大学杭州国际科创中心
代理机构 合肥汇融专利代理有限公司 代理人 -
地址 311200浙江省杭州市萧山区市心北路99号5楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种超薄四面体非晶碳膜的制备工艺,涉及非晶碳膜制备技术领域。所述超薄四面体非晶碳膜的制备工艺主要包括基体材料处理、基体变压蚀刻、联合变换弧流、电压、温度沉积薄膜和变温激冷处理等步骤。本发明克服了现有技术的不足,通过在蚀刻和沉积过程中对压强、温度、偏压的调整,有效提升最终薄膜的沉积速度,并且进一步提升薄膜的硬度降低其应力,同时保证各个厚度的薄膜性能的稳定性,并且通过变温激冷有效降低应力,综合提升非晶碳膜的性能。