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共振隧穿二极管晶圆结构的制备方法

基本信息

申请号 CN201810488345.4 申请日 -
公开（公告）号 CN108648997B 公开（公告）日 2020-02-18
申请公布号 CN108648997B 申请公布日 2020-02-18
分类号 H01L21/329;H01L21/306 分类 基本电气元件;
发明人 张翠;丁庆;杨旻蔚;孙竹;许奔 申请（专利权）人 雄安华讯方舟科技有限公司
代理机构 深圳中一专利商标事务所 代理人 官建红
地址 071700 河北省保定市容城县容蠡路西侧华北机电城2号楼1号房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种共振隧穿二极管晶圆结构的制备方法，包括如下步骤：提供衬底；在衬底上依次层叠沉积的第一重掺杂InGaAs层、InP层、第一AlAs势垒层、InGaAs势阱层、第二AlAs势垒层和第二重掺杂InGaAs层；在所述第二重掺杂InGaAs层上沉积金属图形，形成第二欧姆接触；在金属图形以外的区域，先用可刻蚀InGaAs材料和AlAs材料、但不刻蚀InP材料的第一刻蚀液从第二重掺杂InGaAs层刻蚀至InP层，再用可刻蚀InP材料、但不刻蚀InGaAs材料和AlAs材料的第二刻蚀液刻蚀至第一重掺杂InGaAs层；在经刻蚀处理后的第一重掺杂InGaAs层上沉积金属形成第一欧姆接触。