功率半导体模块衬底
基本信息
| 申请号 | CN201711310714.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107958905A | 公开（公告）日 | 2018-04-24 |
| 申请公布号 | CN107958905A | 申请公布日 | 2018-04-24 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L23/538 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 杨贺雅;罗浩泽;梅烨 | 申请（专利权）人 | 柳州臻驱电控科技有限公司 |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人 | 臻驱科技（上海）有限公司;柳州臻驱电控科技有限公司 |
| 地址 | 201207 上海市浦东新区自由贸易试验区芳春路400号1幢3层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种功率半导体模块衬底。包括四个功率电势区域和四个辅助电势区域，在第一、第三功率电势区域上装有多个功率开关，每个功率开关由多个功率半导体芯片组成，多个功率半导体芯片相并联并连到相邻功率电势区域上；第一、第二功率电势区域之间设置有第一辅助电势区域，沿第一方向和第二方向的反向与第二功率电势区域相邻位置设置有第二辅助电势区域，第三功率电势区内设置有第三、第四辅助电势区域，第一、第二辅助电势区域之间彼此电连接。本发明提供的功率半导体模块的优势在于实现功率模块衬底的紧凑布置，从而提高功率密度，同时实现功率模块各芯片控制回路间杂散参数均匀，从而取得优化的开关特性、提高可靠性。 |
