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一种ESOP8芯片双基岛结构

基本信息

申请号 CN202022652632.X 申请日 -
公开（公告）号 CN213124429U 公开（公告）日 2021-05-04
申请公布号 CN213124429U 申请公布日 2021-05-04
分类号 H01L23/367;H01L23/055 分类 基本电气元件;
发明人 韩开宇 申请（专利权）人 中山市东翔微电子有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 528400 广东省中山市火炬开发区九沙路6号3幢一、二层
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及芯片技术领域，具体揭示了一种ESOP8芯片双基岛结构，包括塑封体，塑封体正面的顶部的左右两侧均固定连接有基岛，塑封体正面的右侧开设有定位孔，塑封体正面的正面与底部均水平横向等距离固定连接有引脚。本实用新型通过定位孔的结构设计，能够使该塑封体具有快速散热的能力，再通过基岛与绝缘层以及塑封体中央设计的绝缘板的结构设计，能够隔绝两个基岛之间会相互传递电流的情况，再通过散热片与塑封体之间的结构设计，能够使散热片可以之间对塑封体进行散热，从而使该ESOP8芯片双基岛结构达到了能隔绝两个双基岛之间相互传递的电流，从而加快芯片的散热速度的目的。