一种钙钛矿薄膜的横向区域熔化再结晶的装置和方法
基本信息
| 申请号 | CN201911333356.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112993160A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112993160A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | H01L51/00（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;C30B33/04（2006.01）I;C30B33/02（2006.01）I;C30B29/54（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郑园园;郑小鹿 | 申请（专利权）人 | 营口天维半导体制造有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 115000辽宁省营口市西市区沿海产业基地新联大街东一号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种对于有机‑无机的金属卤化物钙钛矿及其衍生物的非晶或多晶薄膜材料的结晶和再结晶的装置和方法，特别是涉及横向区域熔化再结晶，并应用于钙钛矿的非晶或者多晶薄膜，其有利于减少晶畴之间的空隙，消除晶畴间的界面和增大晶畴。装置中包含辐射源、聚焦和扫描单元、薄膜的气氛控制环境、薄膜的加热平台和前驱体的加热器等。本发明适用于光伏薄膜、LED显示器发光薄膜、图象探测器薄膜和x光图象探测器薄膜等需要较大面积的钙钛矿单晶、准单晶或者较大晶畴的多晶的需要。 |
