具有射线及中子综合屏蔽效果的镁基材料
基本信息
申请号 | CN201110188443.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN102260812B | 公开(公告)日 | 2016-11-30 |
申请公布号 | CN102260812B | 申请公布日 | 2016-11-30 |
分类号 | C22C32/00(2006.01)I;C22C23/00(2006.01)I;G21F1/08(2006.01)I | 分类 | 冶金;黑色或有色金属合金;合金或有色金属的处理; |
发明人 | 彭明军;段永华;孙勇;何建洪 | 申请(专利权)人 | 昆明理工峰潮科技有限公司 |
代理机构 | 昆明今威专利商标代理有限公司 | 代理人 | 赵云 |
地址 | 650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学) | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于具有X、γ射线以及中子综合屏蔽效果的镁基屏蔽材料,特别是轻质量、多种屏蔽效果的屏蔽材料。屏蔽材料的组成为:基体为镁基合金MgPbAl(Pb?20%~45%,Al?5%~20%,余量为Mg,质量百分比),硼或硼化物为中子吸收体。屏蔽材料的组分配比为:镁基合金的质量百分比在90%~99.7%之间,硼或硼化物的质量百分比在0.3%~10%之间。相比于传统镁基材料、Pb/B4C以及铅硼聚乙烯复合材料,本发明的含硼或硼化物的镁基屏蔽材料不仅具有优异的屏蔽X、γ射线和中子综合屏蔽效果,而且其抗拉强度和布氏硬度远高于现有的Pb?B聚乙烯和Pb?B4C复合屏蔽材料。 |
