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硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构

基本信息

申请号 CN202110616625.0 申请日 -
公开（公告）号 CN113192944A 公开（公告）日 2021-07-30
申请公布号 CN113192944A 申请公布日 2021-07-30
分类号 H01L25/16;H01L23/38 分类 基本电气元件;
发明人 刘曼文;李正 申请（专利权）人 湖南正芯微电子探测器有限公司
代理机构 北京汇泽知识产权代理有限公司 代理人 武君
地址 411101 湖南省湘潭市高新区双拥路9号创新创业园C区10栋4楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种硅漂移探测器与放大器的制冷封装结构，包括：腔体，所述腔体上开设有光学窗口；硅漂移探测器，设置于所述腔体内；准直器，设置于所述腔体内，将透过所述光学窗口的光线耦合至所述硅漂移探测器的光接收端；放大器，设置于所述腔体内，与所述硅漂移探测器电连接，用于放大所述硅漂移探测器的输出信号；制冷器件，具有冷端和热端，所述冷端靠近所述腔体设置，所述热端远离所述腔体设置。本发明采用半导体制冷器件，具有无需制冷剂、可连续工作、没有污染、结构简单、噪声小、寿命长、效率高、耗电低、易于控制操作等特点，既能制冷又能制热，可以让探测器在常温下工作，也可以在深空环境或者极端环境下工作。