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一种炉盖发黑处理的单晶生长炉

基本信息

申请号 CN202121611789.6 申请日 -
公开（公告）号 CN215668284U 公开（公告）日 2022-01-28
申请公布号 CN215668284U 申请公布日 2022-01-28
分类号 C30B15/00（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 黎志欣;逯占文 申请（专利权）人 大连连城数控机器股份有限公司
代理机构 大连东方专利代理有限责任公司 代理人 李洪福
地址 116000辽宁省大连市甘井子区营城子镇工业园区营日路40号-1、40号-2、40号-3
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种炉盖发黑处理的单晶生长炉，包括炉体、保温筒、晶棒、水冷热屏、加热器、坩埚、埚帮、炉盖、炉盖吸热层和热屏吸热层；所述水冷热屏本体的内壁发黑处理，能够提高热吸收效果，结晶界面的结晶潜热能快速释放，起到提高拉速潜力作用。由于水冷屏上方空间大，同样存在热量积累，在所述炉盖上做发黑处理，有利于热辐射的热量更快速的释放，晶棒经历热历史温度降低和时间缩短。因此本实用新型能起到提高拉速作用，同时还能起到降低热施主，减少长晶后二次缺陷的产生。