具有低损耗良好直流偏置的铁硅铝镍磁芯及其制备方法
基本信息
申请号 | CN202010055077.4 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN111261357A | 公开(公告)日 | 2020-06-09 |
申请公布号 | CN111261357A | 申请公布日 | 2020-06-09 |
分类号 | H01F1/147(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 沈晨懂;严露;沈嘉伟;杨盼文 | 申请(专利权)人 | 浙江东睦科达磁电有限公司 |
代理机构 | 杭州丰禾专利事务所有限公司 | 代理人 | 王静 |
地址 | 313299浙江省湖州市德清县武康镇环城北路882号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供一种具有低损耗良好直流偏置的铁硅铝镍磁芯的制备方法,该方法包括如下步骤:将Fe、Si、Al、Ni按照比例投入冶炼炉其中,Si占比为3%‑15%,Al占比为3%‑10%,Ni占比为10‑25%,余量为Fe,使用气雾化喷粉;使用大于200目的筛网过筛,将得到的‑200目铁硅铝镍粉末焙炒加入磷酸稀释液进行表面处理,加入有机硅树脂稀释溶液;加入硬脂酸酰胺或硬脂酸钙作为润滑剂;铁硅铝镍粉末进行压制成型,成型压力在15‑26吨/cm2;对成型后的磁芯进行热处理,控制温度在600‑900℃之间,并向炉内通入氮气作为保护,时间为60‑150分钟;将环氧树脂漆涂覆在材料表面,得到成品。 |
