一种碳基芯片特碳材料的制备方法及应用

基本信息

申请号 CN202010543235.0 申请日 -
公开(公告)号 CN111875379A 公开(公告)日 2020-11-03
申请公布号 CN111875379A 申请公布日 2020-11-03
分类号 C04B35/52(2006.01)I 分类 水泥;混凝土;人造石;陶瓷;耐火材料〔4〕;
发明人 张战;张倩楠 申请(专利权)人 深圳市赛普戴蒙德科技有限公司
代理机构 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人 深圳市赛普戴蒙德科技有限公司
地址 518000广东省深圳市南山区科技南十二路18号长虹科技大厦1105
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种碳基芯片特碳材料的制备方法及应用。其中,所述碳基芯片特碳材料的制备方法,包括:将原料压制成有机块状物,按重量份计,所述原料包括:有机物焦化粉40~95份、有机物气流磨粉60~5份、有机成型剂10~20份;将所述有机块状物进行热压烧结,得到碳素块;将碳素块进行回火处理,得到碳基芯片特碳材料。本发明通过热压烧结使有机块状物脱去氧、氢等元素,保留碳元素,从而得到碳素块;再通过将碳素块进行回火处理,使所述碳素块石墨化,得到极高纯度的碳基芯片特碳材料。