一种基于泰伯效应恢复光栅缺陷的紫外光刻方法
基本信息
| 申请号 | CN201610348109.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105892232A | 公开（公告）日 | 2016-08-24 |
| 申请公布号 | CN105892232A | 申请公布日 | 2016-08-24 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 邓茜;刘俊伯;赵立新;胡松 | 申请（专利权）人 | 四川科奥达技术有限公司 |
| 代理机构 | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金琼 |
| 地址 | 610207 四川省成都市双流航空港开发区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于泰伯效应恢复光栅缺陷的紫外光刻方法，属于微电子、微光学、微纳结构和光电子器件制备等微纳加工领域的光刻技术领域，解决现有技术存在的极紫外光源体积大，成本高，操作安全系数难以保证的问题。本发明步骤为：(1)制备存在不同缺陷的一维线性掩膜版；(2)获取涂有光刻胶的样片，并将掩膜版与样片进行对准；(3)获取紫外i线光对存在缺陷的掩膜版进行照明和对涂有光刻胶的样片进行曝光；(4)将曝光后的样片进行显影，后烘，刻蚀，去胶工艺,即可完成对存在缺陷的一维线性掩膜的缺陷恢复,制作得到完好一致的线性掩膜版。本发明可用于对缺陷掩膜结构的完整恢复。 |
