用于片上集成的整流桥结构
基本信息
| 申请号 | CN201710099378.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106847809A | 公开（公告）日 | 2017-06-13 |
| 申请公布号 | CN106847809A | 申请公布日 | 2017-06-13 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H02M7/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐义强;康明辉;范建林;朱波;曾红霞 | 申请（专利权）人 | 无锡新硅微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡新硅微电子有限公司;南京国博电子有限公司 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区龙山路4号旺庄科技创业中心B栋1204室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种用于片上集成的整流桥结构，属于电路领域。该整流桥结构包括构成整流桥的四个二极管、两个少子保护环；四个所述二极管中的第一二极管和第二二极管分别被一个少子保护环包围；所述少子保护环由深N阱DNW和位于所述DNW下方的N型深埋层BN构成，所述少子保护环贯穿所述二极管所在的P型外延层；所述少子保护环中的所述DNW通过金属线与P型源漏PSD连接，所述PSD被浅P阱SPWELL包围；解决了现有技术中将整流桥和主芯片集成到同一块衬底时，整流桥会出现寄生漏电的问题；达到了能够将整流桥和主芯片集成到同一块衬底，提高产品的集成程度的效果。 |
