应用于多级放大电路的单米勒电容频率补偿方法
基本信息
| 申请号 | CN201510173716.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104734646B | 公开（公告）日 | 2018-11-23 |
| 申请公布号 | CN104734646B | 申请公布日 | 2018-11-23 |
| 分类号 | H03F1/42;H03F3/68 | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 徐义强;施家鹏;葛玉洋 | 申请（专利权）人 | 无锡新硅微电子有限公司 |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 无锡新硅微电子有限公司;南京国博电子有限公司 |
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区龙山路4号旺庄科技创业中心B栋1204室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种应用于多级放大电路的单米勒电容频率补偿方法，在多级放大环路上的第一级和最后一级之间加入米勒电容，将所述米勒电容的一端连接最后一级放大器的输出端，另一端通过一个共栅级放大器连接到第一级放大器的输出端。本发明可以实现多级运放的频率补偿，结构简单，且环路带宽很高，应用在三级或以上的运放电路中。 |
