一种光刻胶及其制备方法和应用以及光刻方法
基本信息
申请号 | CN201811265920.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109212919A | 公开(公告)日 | 2019-01-15 |
申请公布号 | CN109212919A | 申请公布日 | 2019-01-15 |
分类号 | G03F7/42 | 分类 | 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术〔4〕; |
发明人 | 肖楠;宋里千 | 申请(专利权)人 | 泓坤微电子(厦门)有限公司 |
代理机构 | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 | 代理人 | 泓坤微电子(厦门)有限公司;福建泓光半导体材料有限公司 |
地址 | 363000 福建省漳州高新区九湖镇林前村林前773号 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明属于半导体及集成电路领域,公开了一种光刻胶及其制备方法和应用以及光刻方法。所述光刻胶含有树脂和光致产酸剂,所述树脂由20‑45wt%的单元单体Ⅰ、35‑65wt%的单元单体Ⅱ、10‑30wt%的单元单体Ⅲ共聚而成,所述单元单体Ⅰ、单元单体Ⅱ和单元单体Ⅲ的结构分别如式(1)、式(2)和式(3)所示。本发明提供的光刻胶能够提高光刻胶与衬底表面的粘附性,并加快光刻胶曝光的速率、降低光刻反应能量、降低光刻胶被刻蚀的速率或者降低显影时继续发生反应的概率,实现光刻胶与衬底表面间没有空洞或缺口,在填充到深沟槽底部后仍然能够被完全显影,衬底图形表面仍然被光刻胶完全覆盖。 |
