激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法

基本信息

申请号	CN200410011136.9	申请日	-
公开（公告）号	CN1755900A	公开（公告）日	2006-04-05
申请公布号	CN1755900A	申请公布日	2006-04-05
分类号	H01L21/283(2006.01);H01L21/441(2006.01);H01L21/336(2006.01)	分类	基本电气元件;
发明人	骆文生;付国柱;荆海;邵喜斌;廖燕平;齐晓微	申请（专利权）人	长春北方液晶工程研究开发中心有限公司
代理机构	长春科宇专利代理有限责任公司	代理人	李恩庆
地址	130033吉林省长春市经济开发区苏州南街299号
法律状态	-

摘要

一种属于半导体材料技术领域的激光退火多晶硅薄膜晶体管栅绝缘层的制备方法，首先将生长厚度为150nm的非晶硅(a－Si)薄膜放入真空室内进行脱氢处理，经过脱氢处理后的样品放入样品室，在有氧气的条件下，利用准分子激光器发出能量密度为350mJ，频率为3Hz的激光，经匀光系统，使其转变光斑尺寸为50mm×1mm的光斑对非晶硅(a－Si)薄膜表面进行扫描，使其表面形成大约100mm左右的SiO₂层；接下来在真空度达到1Pa以上条件下，再以350mJ的激光能量密度对样品表面进行扫描，使其底层大约50nm左右的a－Si膜熔融再结晶为P－Si薄膜。这种生长方法是在同一片a－Si薄膜上通过激光退火使a－Si薄膜连续转化为SiO₂和P－Si薄膜，可使SiO₂与P－Si层之间保持着较低的界面态密度。