新型边缘刻蚀反应装置
基本信息
| 申请号 | CN202021249584.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212277161U | 公开（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申请公布号 | CN212277161U | 申请公布日 | 2021-01-01 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴堃;杨猛 | 申请（专利权）人 | 上海邦芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201500上海市金山区卫昌路293号2幢12638室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种新型边缘刻蚀反应装置，新型边缘刻蚀反应装置包括：主体腔；位于所述主体腔内的可移动上电极和晶圆夹持平台，所述可移动上电极和所述晶圆夹持平台相对设置；位于所述主体腔内的且位于所述晶圆夹持平台侧部的射频隔离环；位于所述主体腔内的等离子体约束环，所述等离子体约束环位于所述可移动上电极的边缘区域的底部，所述等离子体约束环与所述射频隔离环之间具有间隙；所述可移动上电极与所述晶圆夹持平台和所述射频隔离环之间用于容纳晶圆。所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀精度和刻蚀效率。 |
