新型边缘刻蚀反应装置
基本信息
申请号 | CN202021249588.1 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN212277162U | 公开(公告)日 | 2021-01-01 |
申请公布号 | CN212277162U | 申请公布日 | 2021-01-01 |
分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 吴堃;杨猛 | 申请(专利权)人 | 上海邦芯半导体科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 201500上海市金山区卫昌路293号2幢12638室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种新型边缘刻蚀反应装置,包括:刻蚀系统,刻蚀系统包括:下电极;上电极;位于下电极和上电极之间的射频隔离环;射频隔离环包括:位于下电极外部区域的下射频隔离环;位于上电极外部区域的上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间具有间隙;传片系统;刻蚀系统位于传片系统的侧部,刻蚀系统和传片系统集成在一起;光学定位系统,光学定位系统包括:校准晶圆;光学探测部件;光学接收部件;修正单元,所述修正单元适于根据光学接收部件对校准晶圆和晶圆分别获取的光信息的差别修正晶圆的位置。所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高对晶圆边缘区域的刻蚀重复性。 |
