新型边缘刻蚀反应装置
基本信息
申请号 | CN202021252815.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN212136401U | 公开(公告)日 | 2020-12-11 |
申请公布号 | CN212136401U | 申请公布日 | 2020-12-11 |
分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 吴堃 | 申请(专利权)人 | 上海邦芯半导体科技有限公司 |
代理机构 | - | 代理人 | - |
地址 | 201500上海市金山区卫昌路293号2幢12638室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 一种新型边缘刻蚀反应装置,包括:位于主体腔内的上电极和下电极,上电极和下电极相对设置,上电极和下电极施加的射频频率相同,上电极和下电极之间的电位幅值差小于等于第一阈值,上电极和下电极之间的电位相位差小于等于第二阈值;侧面电极连接件,侧面电极连接件具有第一位置状态和第二位置状态,侧面电极连接件在第一位置状态下环绕上电极和下电极的侧部,侧面电极连接件在第二位置状态下环绕上电极的侧部或者下电极的侧部;上电极和下电极与所述侧面电极连接件之间电压差用于等离子体放电。所述新型边缘刻蚀反应装置能提高边缘刻蚀区域的刻蚀精度和效率。 |
