感性耦合边缘刻蚀反应装置
基本信息
| 申请号 | CN202021252850.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN212277163U | 公开（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申请公布号 | CN212277163U | 申请公布日 | 2021-01-01 |
| 分类号 | H01L21/67(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴堃;杨猛 | 申请（专利权）人 | 上海邦芯半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 201500上海市金山区卫昌路293号2幢12638室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种感性耦合边缘刻蚀反应装置，包括：传片系统和刻蚀系统；传片系统包括:位于腔主体中的支撑移动平台,支撑移动平台包括用于水平放置晶圆的晶圆夹持板,晶圆夹持板可围绕垂直晶圆夹持板表面的中心轴进行旋转;刻蚀系统包括:下电极;上层板;位于上层板和下电极之间的射频隔离环;位于上层板顶部的感性耦合射频单元；射频隔离环包括:位于下电极外部区域的下射频隔离环;位于上层板外部区域的上射频隔离环,上射频隔离环和下射频隔离环之间具有间隙;刻蚀系统位于传片系统的侧部,刻蚀系统和传片系统集成在一起。所述感性耦合边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀费效比。 |
