转换速率可控的半导体电源保护开关

基本信息

申请号 CN201720283022.2 申请日 -
公开(公告)号 CN206575387U 公开(公告)日 2017-10-20
申请公布号 CN206575387U 申请公布日 2017-10-20
分类号 H03K17/687(2006.01)I 分类 基本电子电路;
发明人 不公告发明人 申请(专利权)人 杰夫微电子(四川)有限公司
代理机构 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 代理人 杰夫微电子(四川)有限公司
地址 610000 四川省成都市天府新区天府大道南段2039号天府菁蓉大厦501、506室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了转换速率可控的半导体电源保护开关,包括电源、PMOS管负载开关、使能开关、速率转换控制器、微控制器,所述电源与PMOS管负载开关的源极连接,PMOS管负载开关的漏极与负载连接,PMOS管负载开关的栅极与速率转换控制器连接,所述使能开关与速率转换控制器连接,所述微控制器与速率转换控制器连接;所述PMOS管负载开关用于控制浪涌电流;所述速率转换控制器用于控制PMOS管负载开关,所述使能开关用于控制速率转换控制器的工作状态,所述微控制器用于调节速率转换控制器的速率转换的快慢。本实用新型使用多种形式的速率转换控制器及其外围电路实现速率可调的电源保护开关,同时也使用PMOS管负载开关避免负载设备受到浪涌电流的损害。