一种单晶炉

基本信息

申请号 CN202022863075.6 申请日 -
公开(公告)号 CN214032746U 公开(公告)日 2021-08-24
申请公布号 CN214032746U 申请公布日 2021-08-24
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;F17D1/02(2006.01)I;F17D3/01(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 宋克冉;孙须良;杨西虎 申请(专利权)人 曲靖晶龙电子材料有限公司
代理机构 上海华诚知识产权代理有限公司 代理人 徐颖聪
地址 655000云南省曲靖市曲靖经济技术开发区光伏一号路以东、南海大道以南
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供单晶炉,该单晶炉包括单晶炉本体与供气装置,单晶炉本体包括炉盖部与炉颈部,炉颈部位于炉盖部的上方,炉颈部的内径小于炉盖部的内径;炉盖部上或其与炉颈部连接处设有第一进气口,炉颈部上设有第二进气口,供气装置包括气源、三通阀和三个供气管路;通过三通阀调节气体进入单晶炉本体的位置以调节气体进入单晶炉本体的气流方向,不同的气流方向适应不同工序下的单晶硅的形成,以增加单晶硅生长的环境要求;在单晶硅的制造过程中,当处于等径工序的时候氩气经过炉颈部后竖直向下吹向正在生长的单晶硅,可避免因从侧面吹而造成的晃动现象出现,且能极大的提高炉内洁净度,提高单晶硅的生长质量,提高生产效率。