适用纳米级FinFET工艺的低钳位电压静电保护器件
基本信息
| 申请号 | CN202210633216.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114709210A | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN114709210A | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 高东兴 | 申请（专利权）人 | 深圳市晶扬电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市海顺达知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一路深圳国际创新谷八栋（万科云城三期C区八栋）A座1602房研发用房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种适用纳米级FinFET工艺的低钳位电压静电保护器件，属于鳍式场效应晶体管技术领域。本发明适用纳米级FinFET工艺的低钳位电压静电保护器件包括第一导电类型衬底、设置在第一导电类型衬底上的第二导电类型深阱区，所述第二导电类型深阱区设有2根以上平行的SCR指条，所述SCR指条包括间隔设置的第一导电类型阱区和第二导电类型阱区，不同的SCR指条间相邻阱区的导电类型均不同。本发明的有益效果为：本发明能够显著地降低导通电阻，提升电压钳制能力。 |
