掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备
基本信息
| 申请号 | CN202110620806.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113311660A | 公开（公告）日 | 2021-08-27 |
| 申请公布号 | CN113311660A | 申请公布日 | 2021-08-27 |
| 分类号 | G03F1/60;G03F1/80;G03F1/68;C23C14/00;C23C14/06;C23C14/35;C23C14/58 | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 车翰宣;陈昊;张震 | 申请（专利权）人 | 安徽艾可蓝环保股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 罗泳文 |
| 地址 | 200120 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种掩模基版的制作方法及具有等离子体加热装置的涂胶设备，制作方法包括步骤：提供透光基板；在透光基板上沉积遮光膜；在遮光膜上沉积防反射膜，防反射膜为Cr的碱性氧化物；对防反射膜进行加热烘烤，以脱去防反射膜的水分，并对防反射膜表面进行氧等离子体处理，以在防反射膜表面形成氧化膜；于氧化膜上涂覆化学放大型光刻胶。本发明在防反射膜和化学放大型光刻胶界面形成了氧化膜，在曝光工艺处理时，可以有效避免由碱性防反射膜提供的电子和化学放大型光刻胶被光照激发产生的量子结合而发生的中和反应，避免化学放大型光刻胶中脚状图形的产生，从而可以形成具有优秀分辨率的掩模版图案。 |
