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高浪涌能力的双向TVS器件结构

基本信息

申请号 CN202021992765.5 申请日 -
公开（公告）号 CN212725315U 公开（公告）日 2021-03-16
申请公布号 CN212725315U 申请公布日 2021-03-16
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘宗贺;吴沛东;王涛;廖泽华 申请（专利权）人 深圳长晶微电子有限公司
代理机构 深圳市宏德雨知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 李捷
地址 518000广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种高浪涌能力的双向TVS器件结构，其包括P型衬底、N型区、N+柱、钝化层和金属电极，N型区设置在P型衬底两端，一端露出P型衬底，另一端沉入P型衬底中，N+柱设置在N型区上，一端露出N型区，另一端沉入N型区，钝化层呈环状，设置在P型衬底两端，接触P型衬底和N型区，金属电极设置在钝化层远离P型衬底一侧，用于外接电路。本实用新型的高浪涌能力的双向TVS器件结构，通过再制造过程中长时间的深结扩散，降低两个PN结之间的寄生电阻区，同时在N型区扩散高浓度的N+柱，减少N型区扩散欧姆电阻，提高了双向TVS的大电流浪涌通流能力。