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具有浪涌防护功能的肖特基结构

基本信息

申请号 CN202022145705.6 申请日 -
公开（公告）号 CN212848416U 公开（公告）日 2021-03-30
申请公布号 CN212848416U 申请公布日 2021-03-30
分类号 H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘宗贺 申请（专利权）人 深圳长晶微电子有限公司
代理机构 深圳市宏德雨知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 李捷
地址 518000广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种具有浪涌防护功能的肖特基结构，其包括N型衬底、肖特基势垒层、P++扩散层、表面结构、阴极电极和P+分压环，肖特基势垒层设置在N型衬底一端中部，P++扩散层呈环状，设置在肖特基势垒层外侧，表面结构设置在肖特基势垒层一端，用于芯片封装焊接，阴极电极设置在N型衬底一端，用于封装电极焊接导电，P+分压环设置在N型衬底一端，呈环状，且位于P++扩散层外侧。本实用新型的具有浪涌防护功能的肖特基结构，相当于在肖特基势垒结四周有一圈单向TVS对肖特基势垒结进行保护，P+分压环可以降低肖特基的表面电场集中，提高了肖特基结构的击穿电压，提高了对电路的保护能力，增加了产品的使用寿命。