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低嵌位电压的单向TVS芯片结构

基本信息

申请号 CN202022049564.8 申请日 -
公开（公告）号 CN212725317U 公开（公告）日 2021-03-16
申请公布号 CN212725317U 申请公布日 2021-03-16
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘宗贺 申请（专利权）人 深圳长晶微电子有限公司
代理机构 深圳市宏德雨知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 李捷
地址 518000广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种低嵌位电压的单向TVS芯片结构，其包括P型衬底、N型扩散区、N+扩散区、P+扩散区、表面结构和第一金属电极，N型扩散区设置在P型衬底一端，多个N+扩散区设置在P型衬底远离N型扩散区一端，多个P+扩散区设置在N型扩散区上，表面结构设置在N型扩散区远离P型衬底一端，用于芯片封装焊接；第一金属电极设置在N+扩散区远离P型衬底一端，用于封装电极焊接导电。本实用新型的低嵌位电压的单向TVS芯片结构，整体结构简单，体积小，占用线路板空间小，可有效保护后端损坏电压不高的线路。