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可控硅结构

基本信息

申请号 CN202022145791.0 申请日 -
公开（公告）号 CN212725318U 公开（公告）日 2021-03-16
申请公布号 CN212725318U 申请公布日 2021-03-16
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/74(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘宗贺;吴沛东 申请（专利权）人 深圳长晶微电子有限公司
代理机构 深圳市宏德雨知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 李捷
地址 518000广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种可控硅结构，其包括N型衬底、背面P型掺杂、P型穿通环、正面P型掺杂、隔离槽、N型掺杂区、表面结构和第三金属电极，背面P型掺杂设置在N型衬底一端，P型穿通环位于N型衬底四周，一端接触背面P型掺杂，正面P型掺杂设置在N型衬底远离背面P型掺杂一端，隔离槽呈环状，一端露出正面P型掺杂区，另一端穿过正面P型掺杂区，沉入N型衬底中，N型掺杂区设置在正面P型掺杂上，表面结构设置在正面P型掺杂远离N型衬底的一端，用于芯片钝化以及封装焊接，第三金属电极覆盖在背面P型掺杂上，用于封装可控硅阳极电极焊接导电。本实用新型的可控硅结构，提高了电压和电流的调节能力。