一种太阳能电池扩散深结制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010921289.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112164733A | 公开（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申请公布号 | CN112164733A | 申请公布日 | 2021-01-01 |
| 分类号 | H01L31/18;H01L31/0352 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 赵树宝;张青;董洋 | 申请（专利权）人 | 山西潞阳光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人 | 山西潞阳光伏科技有限公司 |
| 地址 | 046000 山西省长治市郊区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种太阳能电池扩散深结制备方法，步骤一、制备一层SiO2层；步骤二、通过两次沉积在硅片表面制备恒定杂质磷源；步骤三、将磷原子推进至硅片内，形成PN结；步骤四、进行补扩散；步骤五、制备后氧化层；步骤六、在硅片表面再次沉积杂质磷源。步骤一前制备减反射绒面。本发明的有益效果是：在不改变整体方阻及工艺时间的情况下，有效增加PN结深和结区磷浓度差，提高电池片Uoc及FF，从而提高电池转换效率。 |
