一种新型SE正激光工艺

基本信息

申请号 CN202010922106.2 申请日 -
公开(公告)号 CN112164734A 公开(公告)日 2021-01-01
申请公布号 CN112164734A 申请公布日 2021-01-01
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 郭强;蒋万昌;王海超;赵晨 申请(专利权)人 山西潞阳光伏科技有限公司
代理机构 太原市科瑞达专利代理有限公司 代理人 山西潞阳光伏科技有限公司
地址 046000山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型SE正激光工艺,在SE激光过程中喷入氧气,使硅片表面的氧气浓度为22%‑30%,在SE激光完成后继续喷入氧气1‑3分钟,硅片表面的氧气浓度为28%‑35%。激光照射过程中在通过喷氧在硅表面形成氧化硅保护层,从而减轻激光对表面的损伤程度,降低硅片表面的复合率。