一种新型SE正激光工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010922106.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112164734A | 公开（公告）日 | 2021-01-01 |
| 申请公布号 | CN112164734A | 申请公布日 | 2021-01-01 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭强;蒋万昌;王海超;赵晨 | 申请（专利权）人 | 山西潞阳光伏科技有限公司 |
| 代理机构 | 太原市科瑞达专利代理有限公司 | 代理人 | 山西潞阳光伏科技有限公司 |
| 地址 | 046000山西省长治市郊区漳泽新型工业园区 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型SE正激光工艺，在SE激光过程中喷入氧气，使硅片表面的氧气浓度为22%‑30%，在SE激光完成后继续喷入氧气1‑3分钟，硅片表面的氧气浓度为28%‑35%。激光照射过程中在通过喷氧在硅表面形成氧化硅保护层，从而减轻激光对表面的损伤程度，降低硅片表面的复合率。 |
