P型单晶硅HIT光伏电池及其制造方法
基本信息
申请号 | CN201811039122.6 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN109192798B | 公开(公告)日 | 2020-04-17 |
申请公布号 | CN109192798B | 申请公布日 | 2020-04-17 |
分类号 | H01L31/0236;H01L31/0288;H01L31/18 | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 管先炳 | 申请(专利权)人 | 山西潞阳光伏科技有限公司 |
代理机构 | 成都鱼爪智云知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苏州钱正科技咨询有限公司;山西潞阳光伏科技有限公司 |
地址 | 046000 山西省长治市长治高新区漳泽新型工业园区 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明涉及一种P型单晶硅HIT光伏电池的制造方法,该方法包括以下步骤:对所述P型单晶硅片进行双面制绒处理,在所述P型单晶硅片的上表面和下表面均形成绒面层;在所述P型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶硅层、第三N型非晶硅层以及第四N型非晶硅层;在所述P型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层以及第四P型非晶硅层;在所述第四N型非晶硅层上沉积第一透明导电层,接着在所述第四P型非晶硅层上沉积第二透明导电层;在所述第一透明导电层上沉积正面电极,并在所述第二透明导电层上沉积背面电极。 |
