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P型单晶硅HIT光伏电池及其制造方法

基本信息

申请号 CN201811039122.6 申请日 -
公开（公告）号 CN109192798B 公开（公告）日 2020-04-17
申请公布号 CN109192798B 申请公布日 2020-04-17
分类号 H01L31/0236;H01L31/0288;H01L31/18 分类 基本电气元件;
发明人 管先炳 申请（专利权）人 山西潞阳光伏科技有限公司
代理机构 成都鱼爪智云知识产权代理有限公司 代理人 苏州钱正科技咨询有限公司;山西潞阳光伏科技有限公司
地址 046000 山西省长治市长治高新区漳泽新型工业园区
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种P型单晶硅HIT光伏电池的制造方法，该方法包括以下步骤：对所述P型单晶硅片进行双面制绒处理，在所述P型单晶硅片的上表面和下表面均形成绒面层；在所述P型单晶硅片的上表面依次沉积第一本征非晶硅层、第一N型非晶硅层、第二N型非晶硅层、第三N型非晶硅层以及第四N型非晶硅层；在所述P型单晶硅片的下表面依次沉积第二本征非晶硅层、第一P型非晶硅层、第二P型非晶硅层、第三P型非晶硅层以及第四P型非晶硅层；在所述第四N型非晶硅层上沉积第一透明导电层，接着在所述第四P型非晶硅层上沉积第二透明导电层；在所述第一透明导电层上沉积正面电极，并在所述第二透明导电层上沉积背面电极。