一种纳米图形化衬底及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011474285.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112687778A | 公开（公告）日 | 2021-04-20 |
| 申请公布号 | CN112687778A | 申请公布日 | 2021-04-20 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐广源;崔志强;贾晓龙;孟锡俊;蒋国文 | 申请（专利权）人 | 北京中科优唯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张永辉 |
| 地址 | 100000北京市大兴区经济技术开发区经海五路58号院5号楼7层708室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本专利公开了一种纳米图形化衬底的制作方法，所述方法包括：步骤一、在衬底上施加具有多个孔洞的模板，所述孔洞的直径范围为100nm‑800nm；步骤二、透过所述模板的孔洞向所述衬底与所述孔洞对应的表面施加氮化铝层；步骤三、将施加有氮化铝层的衬底进行退火。本专利还公开了使用上述方法制作的纳米图形化衬底。通过上述方案使得衬底具有纳米图形化衬底以及磁控溅射形成氮化铝衬底的优点。同时无需复杂的步骤制作图形化衬底也无需在衬底上另外形成缓冲层而直接在衬底上生长高质量的半导体外延材料。因此简化了生产工艺并提高了衬底的质量。 |
